単結晶ゲルマニウムコバルトナノワイヤ、ゲルマニウムコバルトナノワイヤ構造体、及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：梶良之 , 須原誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-536247
公開番号（公開出願番号）：特表2012-508682
出願日： 2009年11月13日
公開日（公表日）： 2012年04月12日
要約：

反応炉の上流部に位置させたハロゲン化コバルトを含む第1先駆物質、反応炉の下流部に位置させたゲルマニウムを含む第2先駆物質、反応炉の下流部に位置させた基板を不活性ガス雰囲気で熱処理して、基板上にxが0.01以上0.99未満の値を有する単結晶体のCoxGe1-xナノワイヤが形成される。また、基板としてグラフェンまたは高配向熱分解性黒鉛基板を用い、基板上に対して垂直配向性を有し、均一なサイズの高密度ゲルマニウムコバルトナノワイヤ構造体を提供することにより、ゲルマニウムコバルトナノワイヤを電界放出エミッタとして、ゲルマニウムコバルトナノワイヤが形成された基板を電界放出ディスプレイの陰極パネルの透明電極として使用できる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

下記の化学式1で表される単結晶ゲルマニウムコバルトナノワイヤ。 [化1] CoxGe1-x (前記xは、0.01以上0.99未満の値を有する)

IPC (9件)：

C30B 29/62 , B82Y 30/00 , B82Y 40/00 , H01J 1/304 , C30B 29/52 , C22C 19/07 , C22C 28/00 , B22F 1/00 , B22F 9/20

FI (11件)：

C30B29/62 U , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01J1/30 F , C30B29/52 , C22C19/07 M , C22C28/00 B , B22F1/00 M , B22F1/00 R , B22F9/20 F , B22F9/20 Z

Fターム (37件)：

4G077AA04 , 4G077AB02 , 4G077AB06 , 4G077BA07 , 4G077DB01 , 4G077EA02 , 4G077EA06 , 4G077ED06 , 4G077HA15 , 4G077TA02 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K017AA04 , 4K017BA03 , 4K017BA10 , 4K017BB06 , 4K017BB18 , 4K017CA04 , 4K017CA08 , 4K017DA01 , 4K017EG04 , 4K018BA04 , 4K018BA20 , 4K018BB02 , 4K018BB05 , 4K018BD10 , 5C135AA14 , 5C135AA15 , 5C135AB03 , 5C135AB13 , 5C135AC02 , 5C135GG07 , 5C135GG08 , 5C135GG12 , 5C135HH15

引用特許：

審査官引用 (1件)

ウィスカー被覆材料及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-186093 出願人：日産自動車株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

Ferromagnetic Ge1-xMx(M=Mn,Fe,and Co)Nanowires

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