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J-GLOBAL ID:200902192975972630 整理番号:99A0632471
Si(111)-n×n構造についての新しい実験事実とその解釈
Novel Experimental Facts on Si(111)-n×n DAS Structures and their Interpretations.
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著者 (3件):
大泊巌
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嶋田一義
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資料名:
真空 (Journal of the Vacuum Society of Japan)
真空 について
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巻:
42
号:
6
ページ:
603-607
発行年:
1999年06月20日
JST資料番号:
G0194A
ISSN:
0559-8516
CODEN:
SHINA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
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半導体の表面構造
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引用文献 (24件):
TAKAYANAGI, K. Surf.Sci. 1985, 164, 367
TAKAYANAGI, K. J.Vac.Sci.Technol.A. 1985, 3, 1502
TROMP, R. M. Surf.Sci. 1985, 155, 432
TROMP, R. M. Surf.Sci. 1985, 155, 441
TONG, S. Y. J.Vac.Sci.Technol.A. 1988, 6, 615
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