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J-GLOBAL ID:201302200178859610   整理番号:13A1087393

HfOxナノスケールデバイスの抵抗性スイッチングに及ぼすデバイスアーキテクチャと低電流動作の影響

Impacts of device architecture and low current operation on resistive switching of HfOx nanoscale devices
著者 (10件):
資料名:
巻: 105  ページ: 40-45  発行年: 2013年05月 
JST資料番号: C0406B  ISSN: 0167-9317  CODEN: MIENEF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,Ti/HfOxを含むビア-ホール構造を持つ抵抗メモリの高度なスケーリング可能性を実証した。経験的なモデルを用いて,凹型の形状の5nm厚HfOxデバイスのフォーミング電圧とそれらのセルサイズとの間の相関を予測した。ナノデバイスのフォーミング電圧は誘電体ブレークダウンの経験的モデルと良く適合した。支援酸化膜の寄生容量により,直列トランジスタを有する抵抗メモリは,フォーミングプロセスの間,重大な電流オーバーシュートを被る。凹型のデバイスにおける最初のリセット電流は,それらのセルサイズのスケーリングダウンにつれて増加した。0.18mAのコンプライアンス電流の30nmの凹型デバイスは良好な動作ウインドウ(オン/オフ抵抗比>30),500分寿命に対する150°Cでの熱安定性,および104のスイッチングサイクルを含む満足すべき信頼性を示した。50nmの凹型デバイスに対する動作電流は30μAに低減できた。柱状デバイスの最初のリセット電流は,寄生容量内の誘電体の厚さの増加により,取り除かれ得る。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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半導体集積回路 
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