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J-GLOBAL ID：201302200380704556   整理番号：13A0029801

陽極酸化アルミニウム酸化物を使った二端子電荷捕獲WORMデバイス

Two-Terminal Charge-Trapping WORM Memory Device Using Anodic Aluminum Oxide

著者 (2件)： HOURDAKIS E. (Inst. Microelectronics (IMEL), Athens, GRC) ,  NASSIOPOULOU A. G. (Inst. Microelectronics (IMEL), Athens, GRC)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12  号： 10  ページ： 7968-7974  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p⁺-Si基板上の厚さ40nmのAl膜を陽極酸化し,多孔性陽極酸化Al酸化物(AAO)/SiO₂二重層からなる二端子WORMメモリデバイスを作製した。このデバイスは電圧を掃引すると電流があるピークに達し,その後はSiO₂の厚さに依存した一定値となる電流電圧特性をもつ。次いで再び電圧を掃引すると電流はピークを示さずに一定値に達するが,初めの掃引で電流がピークに達するまで掃引しなかったデバイスでは電流ピークが生じて一定値に達する。ピークをもつ状態ともたない状態の電流比は100に達する。「読み出し」サイクルも安定性があり,メモリ保持時間は10年と推定される。50デバイス間の特性の差は10%以内であった。

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  多孔質体 ,  *二酸化ケイ素 ,  *記憶装置 ,  ウエハ【IC】 ,  誘電体薄膜 ,  多層膜
準シソーラス用語： Si基板 ,  *WORMメモリデバイス ,  *陽極酸化アルミニウム ,  二層膜

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 陽極酸化アルミニウム ,  酸化物 ,  電荷捕獲 ,  WORM