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J-GLOBAL ID：201302200448633210   整理番号：13A1087403

CuAl合金種を用いたCu相互接続の信頼性に及ぼすCu電気めっき膜の不純物と微細構造の影響

Effect of impurities and microstructure of Cu electroplated film on reliability of Cu interconnects using CuAl alloy seed

著者 (6件)： MURANAKA Seiji (Process Technol. Div., Renesas Electronics Corp., 751 Horiguchi, Hitachinaka, Ibaraki, JPN) ,  SUEYOSHI Manabu (MCU Product-design Div., Renesas Electronics Corp., 4-1, Mizuhara, Itami, Hyogo, JPN) ,  MORI Kenichi (Process Technol. Div., Renesas Electronics Corp., 751 Horiguchi, Hitachinaka, Ibaraki, JPN) ,  MAEKAWA Kazuyoshi (Process Technol. Div., Renesas Electronics Corp., 751 Horiguchi, Hitachinaka, Ibaraki, JPN) ,  FUJISAWA Masahiko (Process Technol. Div., Renesas Electronics Corp., 751 Horiguchi, Hitachinaka, Ibaraki, JPN) ,  ASAI Koyu (Process Technol. Div., Renesas Electronics Corp., 751 Horiguchi, Hitachinaka, Ibaraki, JPN)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 105  ページ： 91-94  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu相互接続の信頼性を改善するために,Cu-Al合金種が適用されてきた。本論文では,Cu相互接続に及ぼす電気めっきCu(ECP-Cu)膜中の不純物の影響を詳細に調査した。ECP-Cu膜中の高濃度の不純物はECP-Cu膜中へのAlの拡散を抑制し,AlをCu-Al種層中に閉じ込めることを明らかにした。この効果はビアのエレクトロマイグレーション(EM)信頼性を改善する。一方,高い濃度の不純物を含むECP-Cuは,その小さな粒子サイズと粒子中の不純物の存在により,線路抵抗の増加に導く。従って,ECP-Cu中の不純物の制御は,Cu相互接続の集積化に対して鍵となる問題である。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅 ,  *相互接続 ,  銅合金 ,  アルミニウム合金 ,  下地 ,  *信頼性 ,  銅めっき ,  電気めっき ,  *めっき皮膜 ,  *不純物拡散 ,  *微細構造 ,  添加物効果 ,  バイアホール ,  エレクトロマイグレーション ,  結晶粒度 ,  シート抵抗 ,  二次イオン質量分析

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  相互接続 ,  電気めっき ,  不純物 ,  微細構造