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J-GLOBAL ID：201302200694018223   整理番号：13A0243828

インジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物フローティングゲートを持つツイン薄膜トランジスタ不揮発性メモリ

Twin Thin-Film Transistor Nonvolatile Memory With an Indium-Gallium-Zinc-Oxide Floating Gate

著者 (4件)： HUNG Min-Feng (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU Yung-Chun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Jiun-Jye (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG-LIAO Kuei-Shu (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 1  ページ： 75-77  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物(IGZO)フローティングゲートを持つツイン薄膜トランジスタ(TFT)不揮発性メモリ(NVM)について報告した。このNVMは大きいメモリウィンドウΔV_th=5.6Vを示した。この値から外挿して10年後の保存電荷は初期値の65%を保持する可能性がある。この結果から,このNVMデバイスはシステムオンパネルのIGZOを使ったディスプレイ回路に使用できる可能性がある。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  フローティングゲート ,  *薄膜トランジスタ ,  *不揮発性メモリ ,  電圧 ,  閾値 ,  フラットパネルディスプレイ
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  メモリウィンドウ【半導体】 ,  酸化物半導体 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (7件)： インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  酸化物 ,  フローティングゲート ,  薄膜トランジスタ ,  不揮発性メモリ