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J-GLOBAL ID:201302200870315264   整理番号:13A1086480

ジントル相化合物Mg3Bi2-xPnx (Pn=P及びSb)の熱電特性について

On the Thermoelectric Properties of Zintl Compounds Mg3Bi2-xPnx (Pn = P and Sb)
著者 (2件):
資料名:
巻: 42  号:ページ: 1307-1312  発行年: 2013年07月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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一連のジントル相化合物Mg3Bi2-xPnx (Pn=P及びSb)が,固体反応法により合成された。Sbはx=1.0の高さレベルまで置換えられ得るが,Pはたったx=0.5にまでしか置き換えられない。これらの化合物の熱電ポテンシャルが,80K~850Kの間の抵抗率(q),ゼーベックとホール係数,及び熱伝導率を測定することにより評価された。測定された抵抗率及びゼーベック係数値は,小バンドギャップ半導体に対して予測される値と一致していた。ホール測定は,キャリアが,Bi含有量が増加するに伴い,1019cm-3から1020cm-3まで増加する濃度(p)を持つp型であることを示唆した。ホール移動度は温度(T)の上昇に伴い減少し,そして全置換組成に対して室温でほぼ類似の値(45cm2/Vs)に達する。大量の欠陥散乱により,格子熱伝導率(κL)は,Mg3BiSbにおいて最少1.2W/mKにまで減少する。出力係数(α2/ρ)は,幾らか低いことが分かり,そしてそれは0.38mW/mK2~0.66mW/mK2の範囲に入る。予想されたように,825Kの高温ではMg3BiSbの全熱伝導率(κ)は1.0W/mKの素晴らしい値に達する。Mg3BiSbに対して最高無次元性能指数(ZT)が実現され,それは825Kで≒0.4である。Copyright 2013 TMS Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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熱電デバイス  ,  非金属化合物 
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