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J-GLOBAL ID:201302200990654526   整理番号:13A0249910

固溶体とAgドーピングによるMg2(Ge,Sn)化合物のp型熱電性能の改善

Improving p-type thermoelectric performance of Mg2(Ge,Sn) compounds via solid solution and Ag doping
著者 (9件):
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巻: 32  ページ: 312-317  発行年: 2013年01月 
JST資料番号: W0672A  ISSN: 0966-9795  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Mg2X(X=Si,Ge,およびSn)化合物をそれらの有望な熱電性能と”green”構成元素のために増大する注目を引きつけた。今日までの大部分の研究はn型Mg2(Si,Sn)固溶体であったとはいえ,著者らはここにより高いp型性能を追求するためにMg2(Ge,Sn)固溶体におけるAgドーピング研究を報告する。試料の二つのシリーズ,Mg2Ge1-xSnxとMg2-yAgyGe0.4Sn0.6,を真空にしたTaチューブ中で融解により,続いてホットプレスにより作製し,固溶体の熱電特性を室温から723Kまで調べた。Seebeck係数のn型からp型への交差を高温においてMg2Ge0.4Sn0.6とMg2Ge0.2Sn0.8に対して観察した。p型性能を増進するために,著者らはMg2(Ge,Sn)固溶体の中で最低熱伝導率を示すMg2Ge0.4Sn0.6中にAgをドープした。(1)p型挙動を研究した全温度範囲においてMg2-yAgyGe0.4Sn0.6(y=0.005,0.01,0.02,0.04)において確立する;そして(2)電気伝導率は溶解限~0.02に達するまでAg含有量の増加につれて増大することが判明した。結果として,無次元性能指数ZT~0.38を675KにおいてMg1.98Ge0.4Sn0.6Ag0.02に対して達成する,それはp型Mg2X化合物において報告された最高値の一つである。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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