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J-GLOBAL ID：201302201266635397   整理番号：13A0283242

エピタキシャルグラフェンの競争成長とエッチング

Competitive Growth and Etching of Epitaxial Graphene

著者 (5件)： ZHANG Lianchang (Kunming Univ., Kunming, CHN) ,  NI Ming (Kunming Univ., Kunming, CHN) ,  LIU Donghua (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  SHI Dongxia (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Guangyu (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 51  ページ： 26929-26931  発行年： 2012年12月27日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遠隔プラズマ増強化学蒸着(rPECVD)系中最適条件のもとで新鮮劈開HOPG面及び原子的平滑化SiC表面でLBL成長モデルに従うグラフェンのエピタキシャル成長間の成長とエッチングの競争を調べた。HOPG基板上同時エッチング過程を伴うグラフェンのエピタキシャル成長を系統的に調べた。メタン前駆体を用い,種々の成長温度での可逆反応:CH₄⇔C_xH_y^・+H^・⇔C(sp²)+H₂に従うメタンプラズマによるホモエピタキシャル成長と水素プラズマによる異方性エッチングの効果を特性化した。rPECVD系中で発生した水素ラジカルによるグラフェンのエッチングが核形成密度,横方向成長速度及び層厚を制御するグラフェン成長間の臨界的因子であることを見いだした。490°C以下の温度でエッチング効果が支配的であり,グラフェン核形成はなかった。490°C以上の温度でエッチング効果は温度上昇と共に漸進的に増して,成長効果が顕著になった。最適エピタキシャル成長は520°Cであり,HOPG基板上で完全格子構造に近い単分子層グラフェン単結晶をその温度で達成した。

シソーラス用語： *炭素材 ,  グラファイト ,  単分子層 ,  *エピタクシー ,  核形成 ,  単結晶 ,  *格子構造 ,  薄膜成長 ,  高配向性熱分解グラファイト ,  炭化ケイ素 ,  プラズマエッチング ,  前駆体 ,  *プラズマCVD ,  最適条件 ,  同時発生 ,  温度依存性 ,  可逆反応 ,  競争反応 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  成長速度 ,  エッチピット ,  異方性 ,  結晶面 ,  アルカン ,  *グラフェン
準シソーラス用語： HOPG ,  LBL成長 ,  STM【顕微鏡】 ,  エピタキシャル成長 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  異方性エッチング ,  水素プラズマ ,  水素ラジカル ,  成長温度 ,  劈開面

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャルグラフェン ,  競争 ,  成長 ,  エッチング