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J-GLOBAL ID：201302201646093090   整理番号：12A1812119

CMOSゲートスタック応用へ向けたGeO₂/Ge 界面反応制御

^{Interface Control of GeO₂/Ge for High-performance Ge CMOS}

著者 (2件)： 鳥海明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻) ,  鳥海明 (JST-CREST)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 33  号： 11  ページ： 622-627 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報は,Geの界面反応制御に基づいてGeO₂/Geのゲートスタック構成について考察した。Geの酸化は,GeOの脱離が酸化の過程で考慮されるべきであるという事実においてSiの場合とは全く異なっていた。高圧の酸化を使用することによって,GeOの脱離は熱力学的に抑圧されており,MOSコンデンサーに於いてC-Vの特性をほとんど完成させる結果になるのとn-チャンネルMOSFETに於いて最高値の電子移動度を記録するのが示された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *インタフェイス ,  *酸化 ,  *酸化ゲルマニウム ,  *脱着 ,  界面 ,  特性 ,  MOSFET ,  キャリア移動度 ,  欠陥密度 ,  柔軟性 ,  高圧 ,  静電容量 ,  電圧 ,  電圧依存性 ,  不均一系反応 ,  反応制御
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  ゲート電圧 ,  界面特性 ,  界面反応 ,  酸化ゲルマニウム(IV) ,  *脱離 ,  電子移動度

分類 (4件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  反応操作(単位反応)  (XE01040I) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (16件)：

• 1) K. Prabhakaran and T. Ogino, Surf. Sci. 325, 263 (1995).
• 2) K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura and A. Toriumi, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 2349 (2008).
• 3) A. Toriumi, S.K. Wang, C.H. Lee, M. Yoshida, K. Kita, T. Nishimura and K. Nagashio, ECS Trans. 28(2), 171 (2010).
• 4) K. Nagashio, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1155, C06-02 (2009).
• 5) C.H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi, Appl. Phys. Express 2, 071404 (2009).

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  ゲートスタック ,  応用 ,  Ge ,  界面反応