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J-GLOBAL ID：201302201852144629   整理番号：12A1798834

熱堆積による6H-SiC(0001)上のエピタキシャルグラフェンの優先アームチェアエッジ

Preferred armchair edges of epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) by thermal decomposition

著者 (4件)： HU T. W. (State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, Shaanxi, CHN) ,  MA D. Y. (State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, Shaanxi, CHN) ,  MA F. (State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, Shaanxi, CHN) ,  XU K. W. (State Key Lab. for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, Shaanxi, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 24  ページ： 241903-241903-5  発行年： 2012年12月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiCの熱堆積で作製したグラフェンのエッジ配向を研究するのに走査トンネル顕微鏡法を用いた。原子分解能構造と逆空間でのパターンの探索では,アームチェア方向は6H-SiC基板の稠密充填方向と同様6×6再構成の基本ベクトルに常に平行であることを示した。このことは,グラフェンのエッジ方向を特徴づけるための基準として用いることができる。この方法により,アームチェアエッジはモノレイヤーとバイレイヤー領域ともに優先的であることが分かった。この特別のエッジは確実に電子状態と結果的に特性に影響する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  *炭素材 ,  グラファイト ,  エピタクシー ,  単一層 ,  多層 ,  表面再構成 ,  優先配向
準シソーラス用語： *6H-SiC ,  アームチェアエッジ ,  *エッジ状態 ,  キラリティ ,  *単層グラフェン ,  *二層グラフェン

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 堆積 ,  6H-SiC ,  エピタキシャルグラフェン ,  優先 ,  エッジ