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J-GLOBAL ID：201302202003136236   整理番号：13A0935843

電気的注入があるときの半導体発光ダイオードから放出されるAuger電子の直接測定:効率低下に対する主要なメカニズムの同定

Direct Measurement of Auger Electrons Emitted from a Semiconductor Ligh-Emitting Diode under Electrical Injection: Identification of the Dominant Mechanism for Efficiency Droop

著者 (6件)： IVELAND Justin (Univ. California, California, USA) ,  MARTINELLI Lucio (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  PERETTI Jacques (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  SPECK James S. (Univ. California, California, USA) ,  WEISBUCH Claude (Univ. California, California, USA) ,  WEISBUCH Claude (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 110  号： 17  ページ： 177406.1-177406.5  発行年： 2013年04月26日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： キャリア注入 ,  *発光ダイオード ,  Auger効果 ,  化合物半導体 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  Augerスペクトル ,  エレクトロルミネセンス ,  *エネルギー変換効率 ,  量子井戸
準シソーラス用語： Auger電子 ,  窒化ガリウムインジウム

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 注入 ,  発光ダイオード ,  放出 ,  Auger電子 ,  直接測定 ,  効率低下 ,  メカニズム ,  同定