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J-GLOBAL ID：201302202154467862   整理番号：13A1473285

4H-SiC金属-半導体-金属紫外光検出器の温度依存特性の分析

Analysis of temperature-dependent characteristics of a 4H-SiC metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector

著者 (7件)： Chen Bin (School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...) ,  Yang YinTang (School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...) ,  Xie XuanRong (No. 771 Inst. of Microelectronics Technol., Xi’an) ,  Wang Ning (School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...) ,  Ma ZhenYang (School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...) ,  Song Kun (School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...) ,  Zhang XianJun (School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...)
資料名： Chinese Science Bulletin  (Chinese Science Bulletin)
巻： 57  号： 34  ページ： 4427-4433  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0206B  ISSN： 1001-6538  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,二次元(2D)数値シミュレータISE-DESSISにより,室温から800Kの温度範囲で,4H-SiC金属-半導体-金属(MSM)紫外光検出器の電流-電圧とスペクトル応答の温度依存性を調べ,温度上昇に伴う暗電流と光電流の増加を見出した。500~800Kの範囲に対し,暗電流は光電流より150Kごとにほとんど3.5倍大きく増加し,光検出器電流比(PDCR)への負の効果をもたらす。にもかかわらず,PDCRは依然として800Kでさえ200より大きく,優れた熱安定性を示す。加えて,その応答性は非対称傾向を持つ。温度上昇につれて,12nmの顕著な赤色シフトが起こり,全体応答性はより長い波長に対し強まる。一方,短波長応答は比較的温度に独立のままである。間接と直接の帯域吸収遷移のメカニズムは温度依存スペクトル分布に関係する。これらの発見は高温で作動するMSM検出器の設計への顕著な洞察を与える。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 水素 ,  ケイ素 ,  炭素 ,  金属 ,  *半導体 ,  炭化ケイ素 ,  紫外線 ,  *温度依存性 ,  暗電流 ,  光電流 ,  応答特性 ,  昇温 ,  コンパレータ ,  *検出器

分類 (2件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 紫外光 ,  検出器 ,  温度依存 ,  分析