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J-GLOBAL ID：201302202408914406   整理番号：13A0784962

環境・エネルギー問題に挑戦するJFCC 低損失・省エネパワーデバイス用SiC結晶欠陥検出技術の開発

著者 (11件)： YAO Yong-zhao (ファインセラミックスセ) ,  石川由加里 (名古屋工大 大学院工学研究科) ,  石川由加里 (ファインセラミックスセ ナノ構造研) ,  菅原義弘 (ファインセラミックスセ ナノ構造研) ,  佐藤功二 (ファインセラミックスセ 材料技研) ,  旦野克典 (トヨタ自動車) ,  鈴木寛 (トヨタ自動車) ,  坂元秀光 (トヨタ自動車) ,  別所毅 (トヨタ自動車) ,  別所毅 (名古屋大 MBT研究セ) ,  別所毅 (大阪大)
資料名： 金属  (Metals Sciece & Technology)
巻： 83  号： 5  ページ： 425-432  発行年： 2013年05月01日 
JST資料番号： F0157A  ISSN： 0368-6337  CODEN： KNZKA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高い熱安定性,絶縁破壊電圧および熱伝導率を有する炭化ケイ素(SiC)はパワー半導体として有用な材料であるが,その性能は結晶欠陥の存在によって強く影響を受ける。このため結晶欠陥の低減が必須であるが,その技術開発には欠陥検出技術の確立が重要である。本稿では,著者らが進めているSiC結晶欠陥検出技術について紹介した。著者らが進めている手法はKOH蒸気を用いるエッチング法である。KOH+Na₂O₂(KN)エッチング法の原理と実施例(KOHエッチングとKNエッチングの比較,KNエッチングで形成された代表的なピットおよびピットの分類,基板オフ角の影響),高温KOH蒸気を用いる4H-SiCカーボン面(0001)転位検出技術の開発(KOH蒸気によりC面に形成されたエッチピットの特徴,試料同一領域内のC面ピットとSi面ピットの位置相関,KOH蒸気エッチングの温度依存性と活性化エネルギー)について記した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *格子欠陥 ,  水酸化カリウム ,  蒸気 ,  エッチング ,  *検出 ,  転位【結晶】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 環境 ,  エネルギー問題 ,  低損失 ,  省エネ ,  パワーデバイス ,  SiC ,  結晶欠陥 ,  開発