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J-GLOBAL ID：201302202945451390   整理番号：13A1802706

高性能低温電界効果トランジスタのための溶液処理されたLiFドープのZnO膜および倒立型太陽電池

Solution-Processed LiF-Doped ZnO Films for High Performance Low Temperature Field Effect Transistors and Inverted Solar Cells

著者 (6件)： CHANG Jingjing (National Univ. Singapore, Singapore) ,  LIN Zhenhua (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  ZHU Chunxiang (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  CHI Chunyan (National Univ. Singapore, Singapore) ,  ZHANG Jie (Inst. of Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP) ,  WU Jishan (National Univ. Singapore, Singapore)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 5  号： 14  ページ： 6687-6693  発行年： 2013年07月24日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水溶液処理を用いるZnOへのLiFの取り込みを検討した。150°Cで処理すると,LiFをドープしたZnO薄膜は,0.54cm²V^-1s^-1の電子移動度を示し,倒立型太陽電池の短絡回路電流密度は9.70mA/cm²から10.55mA/cm²に改善された。か焼温度を300°Cに上げると,平均電子移動度は8.9cm²V^-1s^-1に達し,最大値は11.2cm²V^-1s^-1であった。電子選択層としてLiFドープのZnOを用いて製作した倒立型太陽電池はアンドープのZnO薄膜の電力変換効率2.94%に比べて,3.3%の電力変換効率を示した。ドーピングプロセスは容易に制御可能であり,溶液は市販の材料で調製できる。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  処理 ,  *フッ化リチウム ,  透明導電膜 ,  酸化亜鉛 ,  *太陽電池 ,  ドーピング ,  *キャリア移動度 ,  電流密度 ,  エネルギー変換効率 ,  温度
準シソーラス用語： か焼温度 ,  *酸化亜鉛薄膜 ,  短絡電流密度 ,  *電子移動度 ,  電力変換効率 ,  *溶液処理

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高性能 ,  低温 ,  電界効果トランジスタ ,  溶液処理 ,  LIF ,  ドープ ,  ZnO ,  太陽電池