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J-GLOBAL ID：201302202968500690   整理番号：13A0953839

応力/転位加工中間層を使って改善されたSi(111)基板上に成長したGaNを用いたLED

Improved GaN-based LED grown on silicon (111) substrates using stress/dislocation-engineered interlayers

著者 (5件)： MA Jun (Photonics Technol. Center, Dep. of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear ...) ,  ZHU Xueliang (Photonics Technol. Center, Dep. of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear ...) ,  WONG Ka Ming (Photonics Technol. Center, Dep. of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear ...) ,  ZOU Xinbo (Photonics Technol. Center, Dep. of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear ...) ,  LAU Kei May (Photonics Technol. Center, Dep. of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 370  ページ： 265-268  発行年： 2013年05月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 応力と転位の両方の加工のためにAlN/GaN超格子を用いたSi(111)基板上の高結晶品質のGaNを使った発光ダイオード(LED)の性能を最適化するために,低温AlN,中間温度AlN多層,AlN/GaN超格子を含む異なる中間層の比較を行った。結果から,AlN/GaN超格子中間層が,残留引っ張り応力を減少させることと,Si上のGaNの結晶品質を改善することに対して最も効果的であることがわかった。AlN/GaN超格子中間層を用いることにより,LEDの光学特性が増大し,Si基板上のパッケージ化する前のLEDチップの光学出力が24%改善された。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 応力 ,  転位【結晶】 ,  層 ,  ウエハ【IC】 ,  *窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  残留応力
準シソーラス用語： 中間層 ,  Si基板

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 応力 ,  転位 ,  中間層 ,  Si ,  成長 ,  GaN ,  LED