文献

J-GLOBAL ID：201302203660151969   整理番号：13A0052708

堅固な量子ビット実現のためのシリコン量子ドットにおけるバレー-軌道充填パターンへの形状効果

Geometrical Effects on Valley-Orbital Filling Patterns in Silicon Quantum Dots for Robust Qubit Implementation

著者 (6件)： DE MICHIELIS Marco (IMM, CNR, Agrate Brianza, ITA) ,  PRATI Enrico (IMM, CNR, Agrate Brianza, ITA) ,  FANCIULLI Marco (IMM, CNR, Agrate Brianza, ITA) ,  FANCIULLI Marco (Universita degli Studi di Milano-Bicocca, Milano, ITA) ,  FIORI Gianluca (Universita di Pisa, Pisa, ITA) ,  IANNACCONE Giuseppe (Universita di Pisa, Pisa, ITA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 12  ページ： 124001.1-124001.3  発行年： 2012年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン・オン・インシュレータ(SOI)3面ゲート金属酸化膜半導体単電子トランジスタ(MOSSETs)で得られた量子ドットのシェルの充填に対する幾何学的な閉じ込め効果を,最新のスピン密度関数理論に基づいて調査した。正方形断面を有するナノワイヤーSOI-MOSSETsにおける幾何学形状の変動は谷を充填する過程で重要な変化を伴うが,ゲート長の可変性は充填パターンの重要な変化をもたらさないことを意味する。この結果は,安定したバレー充填パターンを有する量子ビットのための,シリコン量子ドットのシェルエンジニアリングに向けた定量的な洞察を提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子情報 ,  *ケイ素 ,  *量子ドット ,  *SOI構造 ,  *MOSFET ,  *単一電子トランジスタ ,  量子閉込め ,  *密度汎関数法
準シソーラス用語： 単電子トランジスタ ,  *密度関数理論 ,  *量子ビット

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  結晶中の局在電子構造  (BM02090U)

引用文献 (23件)：

• MAUNE, B. M. Nature. 2012, 481, 344
• FRIESEN, M. Phys. Rev. B. 2003, 67, 121301
• CULCER, D. Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 126804
• SHI, Z. Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 140503
• MAZZEO, G. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 213107

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子ビット ,  シリコン ,  量子ドット ,  軌道 ,  形状効果