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J-GLOBAL ID：201302203869227180   整理番号：13A0891499

縮退半導体における高性能示数。高濃度ドープ多結晶シリコンにおける結晶粒界によるエネルギーろ過

High Figures of Merit in Degenerate Semiconductors. Energy Filtering by Grain Boundaries in Heavily Doped Polycrystalline Silicon

著者 (5件)： NARDUCCI Dario (Univ. Milano Bicocca, Milano) ,  SELEZNEVA Ekaterina (Univ. Milano Bicocca, Milano) ,  CEROFOLINI Gianfranco (Univ. Milano Bicocca, Milano) ,  FRABBONI Stefano (Univ. Modena, Modena, ITA) ,  OTTAVIANI Giampiero (Univ. Modena, Modena, ITA)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1449  ページ： 311-314  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 縮退半導体 ,  高濃度 ,  ドープ ,  多結晶シリコン ,  結晶粒界 ,  エネルギー ,  ろ過