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J-GLOBAL ID：201302205172392674   整理番号：13A1188014

弾性イオンゲルゲート誘電体を用いた伸縮性MoS₂薄膜トランジスタの作製

Fabrication of stretchable MoS₂ thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics

著者 (7件)： PU Jiang (Dep. of Applied Physics, Waseda Univ., Tokyo 169-8555, JPN) ,  ZHANG Yijin (Dep. of Applied Physics, The Univ. of Tokyo, Tokyo 113-8656, JPN) ,  WADA Yoshifumi (Dep. of Applied Physics, Waseda Univ., Tokyo 169-8555, JPN) ,  TSE-WEI WANG Jacob (Inst. of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei 10617, Taiwan) ,  LI Lain-jong (Inst. of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei 10617, Taiwan) ,  IWASA Yoshihiro (Dep. of Applied Physics, The Univ. of Tokyo, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAKENOBU Taishi (Dep. of Applied Physics, Waseda Univ., Tokyo 169-8555, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 2  ページ： 023505-023505-4  発行年： 2013年07月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *硫化モリブデン ,  *酸化膜 ,  *ゲル ,  弾性 ,  *ポリジメチルシロキサン ,  基板 ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  歪 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *伸縮性 ,  *ゲート誘電体 ,  *イオンゲル ,  電子移動度 ,  オンオフ比 ,  閾値電圧 ,  機械歪

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 弾性 ,  イオンゲル ,  ゲート誘電体 ,  伸縮性 ,  MoS2 ,  薄膜トランジスタ ,  作製