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J-GLOBAL ID：201302205188700557   整理番号：13A1504530

シリカベース膜のアンジュレータ放射による表面改質

Surface Modification in Silica-Based Films by Undurator Radiation

著者 (4件)： MORIWAKI K. (Kobe Univ.) ,  TAKEZAWA S. (Kobe Univ.) ,  KANDA K. (Univ. Hyogo) ,  MATSUI S. (Univ. Hyogo)
資料名： LASTI Annual Report  (LASTI Annual Report)
巻： 14  ページ： 39-40  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： L4711A  ISSN： 2189-6909  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NewSUBARUのアンジュレータ放射(UR)を用いて,光導波路装置用の純粋シリカ膜およびGeO₂をドープしたシリカ膜の表面改質を行った。主な目的はUR(またはシンクロトロン放射)によって屈折率の大きな変化をより有効に誘起することである。UR照射膜の評価には主にX線光電子分光(XPS)を用いた。XPS測定と引き続く反応性イオンエッチングにより,表面の還元効果と改質の深さ分布を調べた。Si-Siボンドに対する還元層は非常に薄く1.5nm以下,Ge-Geボンドの還元層は40nm以下であった。

シソーラス用語： *シンクロトロン放射 ,  *表面改質 ,  X線光電子スペクトル ,  RIE【エッチング】 ,  深さ分布 ,  *光導波路 ,  屈折率 ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ ,  アンジュレータ放射 ,  反応性イオンエッチング

分類 (1件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリカ ,  アンジュレータ放射 ,  表面改質