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J-GLOBAL ID：201302205321395908   整理番号：13A1547617

ITO基板を利用する薄膜リチウムイオン電池形成と薄膜の形状制御効果

著者 (6件)： 瀬川大司 (工学院大) ,  永井裕己 (工学院大) ,  原広樹 (工学院大) ,  望月千尋 (工学院大) ,  鷹野一朗 (工学院大) ,  佐藤光史 (工学院大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 26th  ページ： ROMBUNNO.1C04  発行年： 2013年08月28日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 酸化インジウムスズ ,  基板 ,  *リチウムイオン電池 ,  膜電極 ,  *チタン酸塩 ,  *リチウム化合物 ,  *リン酸塩 ,  鉄化合物 ,  スピンコーティング ,  焼成 ,  多層膜 ,  パターン形成 ,  *充放電サイクル ,  電池容量 ,  チタン酸リチウム ,  薄膜電池 ,  リン酸リチウム鉄
準シソーラス用語： リン酸鉄リチウム

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (4件)： ITO基板 ,  薄膜 ,  リチウムイオン電池 ,  形状制御