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J-GLOBAL ID：201302205793603881   整理番号：13A1220665

低い書込み電流を得る電流密度増大ナノ接触相変化メモリ

Current density enhancement nano-contact phase-change memory for low writing current

著者 (8件)： YIN You (Div. of Electronics and Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Gunma Univ., 1-5-1 Tenjin, Kiryu, Gunma 376-8515, JPN) ,  HOSAKA Sumio (Div. of Electronics and Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Gunma Univ., 1-5-1 Tenjin, Kiryu, Gunma 376-8515, JPN) ,  IK PARK Woon (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...) ,  SIK JUNG Yeon (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...) ,  JAE LEE Keon (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...) ,  KUK YOU Byoung (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...) ,  LIU Yang (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Cells, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...) ,  YU Qi (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Cells, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 3  ページ： 033116-033116-5  発行年： 2013年07月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  点接触 ,  有限要素法 ,  *データ書込 ,  電流 ,  材料 ,  消費電力 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  アンチモン化合物 ,  テルル化物 ,  電流密度 ,  *PRAM【メモリ】 ,  ナノ接触 ,  *リセット電流 ,  相変化材料
準シソーラス用語： *相変化メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 書込み電流 ,  電流密度 ,  ナノ接触 ,  相変化メモリ