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J-GLOBAL ID：201302206037182500   整理番号：13A0028656

垂直統合完全差動検知電極を持つ3軸CMOS-MEMS加速度計構造

A Three-Axis CMOS-MEMS Accelerometer Structure With Vertically Integrated Fully Differential Sensing Electrodes

著者 (4件)： TSAI Ming-Han (Pixart Imaging Inc., Hsinchu, TWN) ,  TSAI Ming-Han (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIU Yu-Chia (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  FANG Weileun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 21  号： 6  ページ： 1329-1337  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TSMC社の0.18μm one-poly-Si six-metal/dielectric (1P6M) CMOS工程とポストCMOS金属湿式エッチング工程を使って,3軸のCMOS-MEMS加速度計を実装した。この設計には次の長所がある;1)面内及び面外検知電極の垂直統合と単一プルーフマス(proof mass)により,チップサイズが小さくなった;2)検知電極は3軸とも完全差動間隙閉鎖式とし,感度を高め雑音を減らした;3)CMOS金属層には最小の線幅及び膜厚を採用して面内及び面外の検知間隙を規定し,感度を高めた;4)完全差動方式と検知電極の配置により,3軸間のクロストークを減らした。面積400μm x 400μmの加速度計は検知回路とモノリシックに一体化した。感度と非線形性の測定値はそれぞれ,x軸が14.7mV/Gと3.2%,y軸が15.4mV/Gと1.4%,z軸が14.6mV/Gと2.8%であった。

シソーラス用語： 多軸 ,  *CMOS構造 ,  *MEMS ,  *加速度計 ,  クロストーク ,  電極 ,  動き検出 ,  直線運動
準シソーラス用語： 三軸 ,  検出電極

分類 (2件)： 時間,速度,加速度,角速度の計測法・機器  (AD05040K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直統合 ,  差動 ,  3軸 ,  加速度計