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J-GLOBAL ID:201302206498962787   整理番号:13A0151009

リチウムホスホラスオキシナイトライドガラス電解質/Cuの界面でのLiメッキと除去反応のその場走査電子顕微鏡観察

In-situ scanning electron microscopy observations of Li plating and stripping reactions at the lithium phosphorus oxynitride glass electrolyte/Cu interface
著者 (8件):
資料名:
巻: 225  ページ: 245-250  発行年: 2013年03月01日 
JST資料番号: B0703B  ISSN: 0378-7753  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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リチウムホスホラスオキシナイトライドガラス電解質(LiPON)/銅集電体(Cu)の界面での電気化学リチウムめっきー除去反応時の形態の変化は,走査型電子顕微鏡(SEM)によりその場観察される。その場SEM観察は,LiPON/Cu界面での分離したまばらな初期リチウム成長サイトの50μAcm-2でのめっき反応を動的に示しており,その後,部分的なリチウムの成長はCuフィルムを通した事前メッキサイトから起こり,最終的には,析出したリチウムのほとんどはミクロンオーダーの高さの針状に成長する。この部分成長率は6.8mAcm-2であり,適用されたものより約100倍高い値である。それらの沈殿リチウムが50μAcm-2取り除かれた場合,それぞれの沈殿のコア領域はほとんど取り除かれているが,その程度は,沈殿物の長さに依存する。この依存関係は,Liの拡散性に起因する。この除去電流密度が500μAcm-2に増加すると,クーロン効率がさらに低下してしまう。その場SEM観察から,インタフェース周りのメッキリチウムは優先的に薄くなり,一方インターフェイスから遠いもの(メッキリチウムの上部側)は変わらないまま残る。これは,電気的に大部分の沈殿リチウムのLiPONフィルムからの分離となり,クーロン効率のさらなる低下につながる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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