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J-GLOBAL ID：201302208050076754   整理番号：13A1864305

高密度プラズマ環境下のガスフロースパッタ法によるカーボン薄膜の作製

Preparation of Carbon Thin Films by Gas Flow Sputtering in High-Density Plasma

著者 (5件)： 石井琢馬 (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  佐藤祐二 (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  渡邊貴晴 (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  石井清 (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  佐久間洋志 (宇都宮大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 268(CPM2013 93-107)  ページ： 67-71  発行年： 2013年10月17日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 種々の方式のプラズマCVD法により単結晶を含めて良質なダイヤモンド薄膜が作製できるようになっているが,スパッタ法ではダイヤモンド構造単相の薄膜が形成しにくい場合が多い。本研究では,イオン密度が非常に高いプラズマ中で成膜が可能なガスフロースパッタ法に注目し,同手法によりダイヤモンド薄膜の作製を目指した。基板温度とプラズマの効果について基礎的検討を行った結果,600°C以上においてプラズマ密度が高い場合にナノ結晶ダイヤモンドを含む薄膜が成長することが推察された。(著者抄録)

シソーラス用語： *スパッタリング ,  薄膜 ,  *薄膜成長 ,  イオン密度 ,  気体流 ,  基板温度 ,  プラズマ密度 ,  ナノ結晶 ,  *物理蒸着 ,  ホロー陰極放電 ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  *半導体薄膜 ,  半導体材料
準シソーラス用語： 炭素薄膜 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  ガスフロー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高密度プラズマ ,  環境 ,  ガスフロー ,  スパッタ法 ,  カーボン薄膜 ,  作製