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J-GLOBAL ID：201302208311635390   整理番号：13A0486607

ナノスケールAlN中間層を有する高い電子易動度を示すAlGaN/AlN/GaNHEMT構造

High Electron Mobility AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure With a Nano-scale AlN Interlayer

著者 (6件)： HUANG Shih-Chun (National Formosa Univ., Yunlin, TWN) ,  CHEN Wen-Ray (National Formosa Univ., Yunlin, TWN) ,  HSU Yu-Ting (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Jia-Ching (Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN) ,  CHANG Kuo-Jen (Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN) ,  LIN Wen-Jen (Chung Shan Inst. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8467  ページ： 84670W.1-84670W.6  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着法(MOCVD)によりAlGaN/AlN/GaN構造を作製して,電子易動度に対するAnN中間層の厚みの効果を調べた。成膜はサファイヤのc-面で行った。膜構造は最下層から順に25nm厚さのGaN核生成層,2.3μm厚さのGaN層,種々の厚みを有するAlN中間層そして25nm厚さのAlGaNバリヤ層から成る。また,比較のためにAlN中間層のない構造も作製した。これらの膜構造の物理化学的キャラクタリゼーションを高分解能X線回折,温度依存ホール係数および原子間力顕微鏡で行った。また,AlN中間層の厚みによる電子易動度の温度依存性を調べて,膜の電子構造の観点より議論した。

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *キャリア移動度 ,  移動度 ,  *窒化アルミニウム ,  MOCVD ,  顕微鏡観察 ,  係数 ,  X線回折
準シソーラス用語： Hall係数 ,  原子間力顕微鏡法 ,  高移動度 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  電子移動度

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスケール ,  AlN ,  中間層 ,  電子易動度 ,  AlGaN