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J-GLOBAL ID:201302208837123300   整理番号:13A0794594

Si上のAlGaN/GaN-HEMT利用によるヘテロエピタクシー成長とパワーエレクトロニクス

Heteroepitaxial Growth and Power Electronics using AlGaN/GaN HEMT on Si
著者 (1件):
資料名:
巻: 2012  ページ: 613-616  発行年: 2012年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ヘテロエピタクシー技術を開発し,Siウエハ上に形成したHEMTの特性について報告した。高温成長AlGaN/AlN介在層とGaN/AlN歪層超格子とが,Si基板に引続き成長するGaNの結晶化度を効果的に促進し,厚いデバイス構造の成長へと導く。このSi基板上に設けるAlGaN/GaN-HEMTは,1402Vの高い降伏電圧を示し,2.6×108V2Ω-1cm-2の最高水準に相当する性能指数(FOM=BV2/Ron)が得られた。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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