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J-GLOBAL ID：201302208905308607   整理番号：13A0239565

原子層蒸着SrOと化学気相蒸着RuO₂層の組合わせによる導電性SrRuO₃膜の成長

Growth of Conductive SrRuO₃ Films by Combining Atomic Layer Deposited SrO and Chemical Vapor Deposited RuO₂ Layers

著者 (7件)： HAN Jeong Hwan (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Woongkyu (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JEON Woojin (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sang Woon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HWANG Cheol Seong (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KO Changhee (Air Liquide, Ibaraki Pref., JPN) ,  GATINEAU Julien (Air Liquide, Ibaraki Pref., JPN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 24  号： 24  ページ： 4686-4692  発行年： 2012年12月25日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代RAMに使用する物質として,高k誘電体としてSrTiO₃(STO),導電性酸化物電極材料としてSrRuO₃(SRO)が有望な候補となっている。しかし,これらの薄膜作製は困難であり,SROシード層生成後STO薄膜を蒸着し結晶化させるのが解決策と考えられている。しかしSROシード層作製が困難である。今回Srの前駆体してSr(ⁱPr₃Cp)₂(ここでⁱPr₃Cpは1,2,4-トリスイソプロピルシクロペンタジエニルである),Ru前駆体としてRuO₄を用いて230°Cの低温で,SrOをALD成長後,RuO₂をCVD成長させ,さらにN₂中600-700°Cのアニーリングにより,SROシード層の作製に成功した。STO薄膜を成長させるのに成功し,STO薄膜の誘電率は従来の方法による12から44に改善した。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  酸化ストロンチウム ,  酸化ルテニウム ,  *シーケンシャル処理 ,  化学組成 ,  成長速度 ,  熱処理 ,  下層 ,  コンデンサ ,  RAM【メモリ】 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  すれすれ入射 ,  X線回折 ,  酸化物 ,  *ルテニウム化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  *誘電体薄膜 ,  *膜電極 ,  結晶化 ,  誘電率 ,  誘電体
準シソーラス用語： シード層 ,  *原子層蒸着 ,  高k誘電体

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

物質索引 (1件)： 1,2,4-トリイソプロピル-1,3-シクロペンタジエン

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層蒸着 ,  SrO ,  化学 ,  気相蒸着 ,  組合わせ ,  導電性 ,  成長