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J-GLOBAL ID:201302208927826350   整理番号:13A0363024

放電プラズマ焼結により作製した多孔質SiCセラミックの細孔サイズ制御

Pore-size control in porous SiC ceramics prepared by spark plasma sintering
著者 (5件):
資料名:
巻: 120  号: 1402  ページ: 243-247 (J-STAGE)  発行年: 2012年 
JST資料番号: F0382A  ISSN: 1882-0743  CODEN: JCSJEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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Al2O3,Y2O3およびAlNを添加したAr中,15MPa圧力下,50~200°C/minの放電プラズマ焼結により,多孔質SiCセラミックを1900~2000°Cで保持時間なしで作製した。SiCセラミックの空隙率,細孔サイズ,微細組織,および曲げ強さに及ぼす加熱速度,焼結助剤の影響を調べた。加熱速度の増加と共にSiC粒サイズは微細化,空隙率は増加,曲げ強さは低下した。試料の強度は加熱温度の上昇と共に増加した。1195°Cで作製した試料ではSiCの粒成長は抑制され,高空隙率(42%)および高強度(95MPa)を有した。AlN-Y2O3およびAlN-Al2O3を添加して1195°Cで作製した試料は32~39%の空隙率であった。Y2O3およびAl2O3へのAlNの添加により粒成長が抑制され,細孔サイズが低下した。作製した多孔質SiCセラミックの最大強度は167MPaであった。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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セラミック・陶磁器の製造 
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