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J-GLOBAL ID：201302209079456005   整理番号：13A1414490

TSSG法によるGd₂Si₂O₇:Ce単結晶シンチレータの合成と組成的過冷却の抑制

著者 (8件)： 坪田陽一 (北大 大学院) ,  川村宗範 (北大 大学院) ,  金子純一 (北大 大学院) ,  樋口幹雄 (北大 大学院) ,  西山修輔 (北大 大学院) ,  藤田文行 (日立化成工業) ,  蔵重和久 (日立化成工業) ,  石橋浩之 (日立化成工業)
資料名： 日本原子力学会北海道支部研究発表会講演要旨集  (日本原子力学会北海道支部研究発表会要旨集)
巻： 28th  ページ： 13-14  発行年： 2010年 
JST資料番号： L6180A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *溶液成長 ,...
準シソーラス用語： *TSSG法 ,...

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分類 (1件)： 医療用機器装置  (GA05020L)

タイトルに関連する用語 (6件)： TSSG法 ,  Ce ,  単結晶 ,  シンチレータ ,  組成 ,  過冷却