文献

J-GLOBAL ID：201302209749596849   整理番号：13A1791934

過酷環境におけるSAW応用に対するパッケージ無し構造としてのAlN/IDT/AlN/サファイヤ

AlN/IDT/AlN/Sapphire as Packageless Structure for SAW Applications in Harsh Environments

著者 (8件)： LEGRANI O. (Univ. Lorraine, Vandoeuvre-les-Nancy, FRA) ,  LEGRANI O. (Inst. Jean Lamour, CNRS, Vandoeuvre-les-Nancy, FRA) ,  ELMAZRIA O. (Univ. Lorraine, Vandoeuvre-les-Nancy, FRA) ,  ELMAZRIA O. (Inst. Jean Lamour, CNRS, Vandoeuvre-les-Nancy, FRA) ,  BARTASYTE A. (Univ. Lorraine, Vandoeuvre-les-Nancy, FRA) ,  BARTSAYTE A. (Inst. Jean Lamour, CNRS, Vandoeuvre-les-Nancy, FRA) ,  AUBERT T. (Univ. Savoie, FRA) ,  TALBI A. (Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie (IEMN), Lille, FRA)
資料名： IEEE International Ultrasonics Symposium  (IEEE International Ultrasonics Symposium)
巻： 2012 Vol.3  ページ： 2102-2105  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0437C  ISSN： 1948-5719  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN/サファイヤは,高温SAW応用に対する圧電構造としての有力な代替であるが,AlNが酸化に敏感である問題がある。AlNの酸化は,圧電層の構造及び形態学的特性における変化を誘起し,SAWデバイスの挿入損失の増大および動作周波数変動の結果となった。最上層へのAlNの追加による,圧電AlN膜の寿命増大,および凝集現象あるいは化学浸食からの電極保護を試みた。本論文では,従来の,IDT/AlN/サファイヤおよび保護を行ったAlN/IDT/AlN/サファイヤヘテロ構造の性能を高温で比較した。保護層によりTamman温度より高い温度でも,電極の凝集減少を抑制することを実証した。パッケージ無し構造としてのAlN/IDT/AlN/サファイヤヘテロ構造は,900°Cまでの高温応用および特に酸素フリー環境において非常に有力であると考察した。

シソーラス用語： 環境 ,  *弾性表面波 ,  梱包 ,  *窒化アルミニウム ,  *信号変換器 ,  サファイア ,  酸化 ,  圧電気 ,  挿入損 ,  凝集 ,  素子構造
準シソーラス用語： *IDT ,  *SAW【表面波】 ,  パッケージ ,  ヘテロ構造 ,  過酷環境

分類 (1件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 過酷環境 ,  SAW ,  応用 ,  パッケージ ,  AlN ,  IDT ,  サファイヤ