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J-GLOBAL ID：201302210777254633   整理番号：13A1451791

抵抗変化メモリCu/MoO_xにおけるCuの移動

著者 (5件)： 大野裕輝 (北大 大学院) ,  工藤昌輝 (北大 大学院) ,  浜田弘一 (北大 大学院) ,  有田正志 (北大 大学院) ,  高橋庸夫 (北大 大学院)
資料名： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
巻： 153rd  ページ： ROMBUNNO.308  発行年： 2013年09月03日 
JST資料番号： S0988B  ISSN： 2433-3093  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *銅 ,  移動 ,  *RAM【メモリ】 ,  *酸化モリブデン ,  固体電解質 ,  金属イオン ,  銅化合物 ,  イオン輸送 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  電極 ,  ケイ素 ,  基板 ,  白金 ,  スパッタ蒸着 ,  製膜 ,  析出物 ,  電場 ,  フィラメント ,  固体内拡散 ,  *抵抗変化メモリ ,  銅イオン ,  窒化チタン ,  銅電極

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 抵抗変化メモリ ,  Cu