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J-GLOBAL ID：201302211530523425   整理番号：13A1792661

ゲートスイングが大きく電流コラプスが小さい600VノーマリオフSiN_x/AlGaN/GaN MIS-HEMT

600-V Normally Off SiN_x/AlGaN/GaN MIS-HEMT With Large Gate Swing and Low Current Collapse

著者 (8件)： TANG Zhikai (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  JIANG Qimeng (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LU Yunyou (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  HUANG Sen (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  HUANG Sen (Inst. Microelectronics Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  YANG Shu (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  TANG Xi (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CHEN Kevin J. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 11  ページ： 1373-1375  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧パワースイッチング用GaN系電力トランジスタには,ノーマリオフ動作に加え,大ゲートスイング,大きな正の閾値電圧,小さい電流コラプス,低ON抵抗が必須である。これら諸課題の解決に向け,600Vノーマリオフ動作SiN_x/AlGaN/GaN MISゲートHEMTを作製するデバイス技術を述べた。閾値電圧として+3.6V,さらにゲートスイング14V,ドレイン電流430mA/mm,ON抵抗2.1mΩ・cm²,ブレークダウン電圧604Vの優れた特性を得た。AlN/SiN_xパッシベーションで電流コラプスの抑圧も可能となった。

シソーラス用語： *HEMT ,  *MIS構造 ,  *モード ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  不活性化 ,  高電圧 ,  オン抵抗 ,  窒化ケイ素 ,  電力トランジスタ
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *エンハンスメントモード ,  電流コラプス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  スイング ,  電流コラプス ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  HEMT