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J-GLOBAL ID:201302211619922560   整理番号:13A0622411

単結晶シリコンの疲労挙動とその環境依存性

著者 (4件):
資料名:
巻: 2011  ページ: ROMBUNNO.OS0512  発行年: 2011年 
JST資料番号: L0191B  ISSN: 2424-2845  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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MEMSの主な構成材料であるシリコンは疲労メカニズムや特性が未だはっきりとは解明されておらず,長期信頼性設計手法も確立されていない。本研究では単結晶シリコン薄膜を用い,不活性環境下において温度を変化させながら静的強度試験および疲労試験を行い,その結果および多結晶シリコンとの比較を行った。温度の上昇によって単結晶・多結晶シリコンともに疲労強度の低下がより顕著に見られ,この結果より結晶中の転位等の内部欠陥の蓄積が疲労の原因となっている可能性が示唆された。(著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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セラミック材料 
タイトルに関連する用語 (3件):
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