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J-GLOBAL ID：201302212151359819   整理番号：12A1798782

金属-シリコン界面における温度が関わる非線形性の研究

A study of temperature-related non-linearity at the metal-silicon interface

著者 (11件)： GAMMON P. M. (School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  DONCHEV E. (Dep. of Materials, Imperial Coll. London, London SW7 2AZ, GBR) ,  PEREZ-TOMAS A. (IMB-CNM-CSIC, Campus UAB, 08193 Barcelona, ESP) ,  SHAH V. A. (Physics Dep., Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  PANG J. S. (Dep. of Materials, Imperial Coll. London, London SW7 2AZ, GBR) ,  PETROV P. K. (Dep. of Materials, Imperial Coll. London, London SW7 2AZ, GBR) ,  JENNINGS M. R. (School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  FISHER C. A. (School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  MAWBY P. A. (School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  LEADLEY D. R. (Physics Dep., Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  MCN. ALFORD N. (Dep. of Materials, Imperial Coll. London, London SW7 2AZ, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 11  ページ： 114513-114513-11  発行年： 2012年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottkyダイオード(SD)の電流-電圧-温度(IVT)特性をその均一性に関わらず良く再現するために,金属-半導体界面の温度依存性を調べた。そのため,不均一度の異なる四種のシリコンSDを作製した。それらは,比較的均一なNiV/Siダイオード,最低温度部にのみ二重バンプを有するTi/Si及びCr/Siダイオード,強い非線形性を示すNb/Siダイオードである。温度77~300KのIVT応答にTung電子輸送モデルを半自動適用して,各ダイオード特性が再現された。その達成において,このモデルの三つのキーパラメータが顕著な温度依存性を示すことが分かった。この依存性の解析から以下のことが分かる。熱エネルギーの上昇が更なる界面パッチを指数関数的に活性化する。活性化率はパッチ鞍点のキャリア濃度に依存する。それはダイオードの均一性に関わる。さらにTungモデルの再検討により,低温での電流路の発散の問題を欠陥と不均一性のある界面の簡単化に関わるものとして説明する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  Schottky障壁ダイオード ,  ケイ素 ,  蒸着膜 ,  ニッケル合金 ,  バナジウム含有合金 ,  チタン ,  クロム ,  ニオブ ,  *電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  表面構造 ,  *不均一性 ,  非線形性 ,  キャリア密度 ,  パラメータ ,  ダイオードモデル ,  半導体金属接合
準シソーラス用語： 界面構造

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  界面 ,  非線形性 ,  研究