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J-GLOBAL ID：201302213488743870   整理番号：13A0794845

ドーピングおよび再配向によるシリコン共振器における非線形性低減

NONLINEARITY REDUCTION IN SILICON RESONATORS BY DOPING AND RE-ORIENTATION

著者 (3件)： SHAHMOHAMMADI M. (Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA) ,  FATEMI H. (Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA) ,  ABDOLVAND R. (Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA)
資料名： Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems  (Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems)
巻： 26th Vol.2  ページ： 793-796  発行年： 2013年 
JST資料番号： W0377A  ISSN： 1084-6999  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン上の圧電薄膜(TPoS)共振器は,優れた電力処理能力を示し,低消費電力および低雑音共振器への大きな可能性を有する。本論文では,TPoS共振器における非線形性低減は,ドーピング濃度および[100]結晶方位への共振器に配列により達成できることを示した。横広がりモードTPoSの微小共振器構造は,SOI基板のデバイス層の頂部に積層した2つの金属電極に挟まれた圧電薄膜から構成した。高いリンおよびヒ素ドープシリコン基板上に作成した横広がり[100]配向共振器において,通常観察されるばねの軟化の傾向と異なった,ばねの硬化を実証した。ドーピング濃度の適切な水準に対して,非線形剛性係数をキャンセルできると考察した。適切なドーピング濃度の選択により,振幅依存剛性係数をゼロ近くに低減し,共振器の優れた線形性に導いた。

シソーラス用語： *ドーピング ,  再配向 ,  ケイ素 ,  共振器 ,  *非線形性 ,  結晶方位 ,  *微小共振器 ,  ばね ,  係数 ,  比率
準シソーラス用語： SOI基板 ,  圧電薄膜 ,  剛性係数

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドーピング ,  再配向 ,  シリコン ,  共振器 ,  非線形性