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J-GLOBAL ID：201302213587652984   整理番号：13A1205318

レーザアニーリングにより行った超薄Ni(Pt)Si薄膜形成

Ultrathin Ni(Pt)Si Film Formation Induced by Laser Annealing

著者 (3件)： LI Long (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  JIANG Yu-Long (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  LI Bing-Zong (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 7  ページ： 912-914  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイス寸法のスケーリングが進み,必要とされるNi膜厚がより薄くなっている。本稿では,Si上の超薄Ni(Pt)薄膜形成におけるレーザアニーリング(LA)による固相反応について調べた。その結果,必要なLAプロセスは蒸着したNi(Pt)膜厚に強く依存することが分かった。Raman分光法とX線光電子分光法により,薄い膜に対しては大きいサーマルバジェットが必要であり,これは膜の光吸収が膜厚に依存するためである。またシャロートレンチアイソレーション(STI)に近いSi活性領域では局所反応温度が高いことも分かった。

シソーラス用語： *レーザアニーリング ,  *超薄膜 ,  *ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  スケーリング【計数】 ,  構成 ,  薄膜成長 ,  Raman分光法 ,  X線光電子分光法 ,  光吸収 ,  アイソレーション【IC】
準シソーラス用語： ケイ化ニッケル ,  サーマルバジェット ,  シャロートレンチアイソレーション ,  薄膜形成

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザアニーリング ,  Ni ,  Pt ,  Si薄膜