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J-GLOBAL ID：201302214265807202   整理番号：13A0833998

n型層にGa₂O₃薄膜を用いて作製したCu₂Oに基づく高効率ヘテロ接合太陽電池

High-Efficiency Cu₂O-Based Heterojunction Solar Cells Fabricated Using a Ga₂O₃ Thin Film as N-Type Layer

著者 (3件)： MINAMI Tadatsugu (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  NISHI Yuki (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  MIYATA Toshihiro (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 4  ページ： 044101.1-044101.4  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cuシートを熱酸化して作製したp型Cu₂Oシートを活性層及び基板として,Ga₂O₃薄膜をn型半導体層として有する高効率ヘテロ接合太陽電池を実証した。n型Ga₂O₃薄膜の利用はn-Ga₂O₃/p-Cu₂Oヘテロ接合太陽電池の性能を大幅に改善する。パルスレーザ蒸着法により室温で作製した厚み75nmのn-Ga₂O₃薄膜層を用いて作製したAlドープZnO/Ga₂O₃/Cu₂Oヘテロ接合太陽電池で5.38%の最高効率を得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  *半導体薄膜 ,  *酸化ガリウム ,  酸化銅 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  半導体材料
準シソーラス用語： *ヘテロ接合太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (21件)：

• FUJINAKA, M. J. Appl. Phys. 1983, 54, 3582
• SEARS, W. M. Thin Solid Films. 1983, 103, 303
• RAKHSHANI, A. E. Solid-State Electron. 1986, 29, 7
• MINAMI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, L917
• MINAMI, T. Thin Solid Films. 2006, 494, 47

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga2O3 ,  薄膜 ,  作製 ,  Cu2O ,  高効率 ,  ヘテロ接合太陽電池