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J-GLOBAL ID：201302214716476809   整理番号：13A0758066

THz導波路における光発生キャリアゲートを用いるコンパクトな光/THz信号変換器

Compact Optical/THz Signal Converter using Photo-generated Carrier Gate in THz Waveguide

著者 (6件)： TAKE Daisuke (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIRAO Mizuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MARUYAMA Kaoru (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NISHIYAMA Nobuhiko (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ASADA Masahiro (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI Shigehisa (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 2012  ページ： 157-158  発行年： 2012年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10GHz以上のスピードで光信号からTHz信号に変換する変換器の新しい構造を提案し解析した。THzプラズモン導波路で構成され,光キャリア発生ゲートを利用する新しい直接変換器構造となっている。光-THz信号変換器は,Ti/Auと半絶縁性InP上に形成したpin-GaInAsで構成し,THz共鳴トンネルダイオードと一体化している。光とTHz信号の変換率を見積もった。i-GaInAsの厚みが0.6μm以下で変換器長が0.5μmのとき,280GHzを用いて,10mW以下の入力光パワーで,10GHz THz信号と20dB以上の消衰比を得た。

シソーラス用語： *信号変換器 ,  光導波路 ,  *電磁波 ,  共鳴トンネルダイオード ,  アンチモン化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  PIN接合 ,  光信号 ,  プラズモン ,  搬送波 ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： *THz波 ,  アンチモン化ガリウムインジウム ,  プラズモン導波路 ,  光搬送波

分類 (1件)： その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 導波路 ,  キャリア ,  ゲート ,  信号変換器