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J-GLOBAL ID：201302215972040364   整理番号：13A0689462

薄膜トランジスタ用のフェニレン-チオフェンオリゴマ誘導体: 構造と半導体性能

Phenylene-Thiophene Oligomer Derivatives for Thin-Film Transistors: Structure and Semiconductor Performance

著者 (7件)： DUAN Zongfan (Xi’an Univ. Technol., Shaanxi, CHN) ,  DUAN Zongfan (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  OHUCHI Hirokuni (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  YANAGI Yuichiro (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  TAKAYANAGI Yutaro (Nihon Univ., Chiba, JPN) ,  ZHAO Gaoyang (Xi’an Univ. Technol., Shaanxi, CHN) ,  NISHIOKA Yasuhiro (Nihon Univ., Chiba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 3,Issue 2  ページ： 03BB07.1-03BB07.5  発行年： 2013年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二種類のフェニレン-チオフェンオリゴマ誘導体2,8-ビス[5-(4-n-ヘキシルフェニル)-2-チエニル]ジベンゾチオフェン(28HPTDBT)と3,7-ビス[5-(4-n-ヘキシルフェニル)-2-チエニル]ジベンゾチオフェン(37HPTDBT)を薄膜有機電界効果トランジスタ(OFET)の活性材料に用いた。両分子は構造が似ているが,光物理的性質,結晶度,π-積層,電気的性質が明白に異なる。28HPTDBTは非晶質材料で,薄膜OFETで半導体特性を示したが,37HPTDBTは固体状態で高い結晶度と強いπ積層,従って高い電荷キャリア移動度を示した。ゲート絶縁膜と焼なまし温度がトランジスタ性能に及ぼす影響を調べた。オクタデカニルトリクロロシラン(OTS)処理したSiO₂ゲート絶縁膜を有する37HPTDBTに基づく薄膜OFETは優れた電界効果性能を示し,最高移動度は0.3cm²V^-1s^-1,1.5×10⁵の高いオンオフ電流比を有した。焼なまし温度は薄膜の結晶度を改善したが,ボイド(亀裂)の出現はOFETの電荷キャリア移動度を低下させた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  *酸化膜 ,  電場効果 ,  焼なまし ,  結晶度 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： オンオフ電流比 ,  電界効果 ,  *有機FET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (26件)：

• 1) Y. Shirota and H. Kageyama: Chem. Rev. 107 (2007) 953.
• 2) A. R. Murphy and J. M. J. Fréchet: Chem. Rev. 107 (2007) 1066.
• 3) A. Mishra, C.-Q. Ma, and P. B・uerle: Chem. Rev. 109 (2009) 1141.
• 4) J. E. Anthony: Chem. Rev. 106 (2006) 5028.
• 5) K. Takimiya, Y. Kunugi, and T. Otsubo: Chem. Lett. 36 (2007) 578.

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜トランジスタ ,  フェニレン ,  誘導体