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J-GLOBAL ID：201302215979410000   整理番号：13A0016730

In_xGa_1-xN/GaNナノワイヤヘテロ構造のIn含有量と放出波長との間の相関

Correlation between In content and emission wavelength of In_xGa_1-xN/GaN nanowire heterostructures

著者 (10件)： WOELZ M (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  LAEHNEMANN J (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  BRANDT O (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  KAGANER V M (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  RAMSTEINER M (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  PFUELLER C (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  HAUSWALD C (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  HUANG C N (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  GEELHAAR L (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  RIECHERT H (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 45  ページ： 455203,1-6  発行年： 2012年11月16日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 能動領域の成長温度,その結果としての平均In含有量を変えた,一連のIn_xGa_1-xN/GaNナノワイヤ(NW)を分析した。結果は,In組み込みによる放出波長の明確な傾向を示した。平面In_xGa_1-xN/GaNヘテロ構造とは対照的に,NWヘテロ構造における光学的遷移の分析は,歪における横方向変動を考慮した完全に三次元的なシミュレーションを必要とした。これらの成果は,キャリア局在化に関するいくつかの機構の相互作用を考慮して,NWベースIn_xGa_1-xN/GaNヘテロ構造からの発光を記述しなければならないことを示唆した。

シソーラス用語： 素子構造 ,  *ナノワイヤ ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *インジウム ,  *含有量 ,  波長 ,  電子遷移 ,  歪 ,  シミュレーション ,  発光
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  *窒化ガリウムインジウム ,  *放出波長 ,  光学遷移 ,  三次元シミュレーション

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  ナノワイヤ ,  ヘテロ構造 ,  含有量 ,  放出 ,  波長 ,  相関