文献

J-GLOBAL ID：201302216003233569   整理番号：13A0794634

ASリッチInGaAs表面でのダングリングボンド除去のメカニズム

Mechanism of Dangling Bond Elimination on As-rich InGaAs Surface

著者 (8件)： MELITZ Wilhelm (Univ. Cal., CA, USA) ,  CHAGAROV Evgueni (Univ. Cal., CA, USA) ,  KENT Tyler (Univ. Cal., CA, USA) ,  DROOPAD Ravi (Texas State U., TX, USA) ,  AHN Jaesoo (Stanford U., CA, USA) ,  LONG Rathnait (Stanford U., CA, USA) ,  MCINTYRE Paul C. (Stanford U., CA, USA) ,  KUMMEL Andrew C. (Univ. Cal., CA, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 772-775  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査トンネル顕微鏡(STM)と密度関数理論(DFT)によると,トリメチルアルミニウム(TMA)はInGaAs(001)-(2×4)表面でAsダイマーと結合し易い。DFTモデリングは,TMAのAsダイマーとの結合がAsを四面体結合に戻してダングリングボンドを無くし,低い中間ギャップ状態の電気的にパシベートされた表面を作り出すことを示している。さらなるパシベーションにはInGaAs欠陥サイトのパシベーションが必要なことが予想される。

シソーラス用語： 走査型トンネル顕微鏡 ,  密度汎関数法 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ素 ,  二量体 ,  *ダングリングボンド ,  不動態化
準シソーラス用語： InGaAs ,  ダイマー ,  *パッシベーション ,  走査トンネル顕微鏡 ,  密度関数理論

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

物質索引 (1件)： トリメチルアルミニウム

タイトルに関連する用語 (3件)： InGaAs ,  ダングリングボンド ,  メカニズム