文献

J-GLOBAL ID：201302216093860389   整理番号：13A1443827

動的ベース漏れ電流補償技術を用いた4.5MGy全電離線量耐性CMOSバンドギャップ基準回路

A 4.5MGy TID-Tolerant CMOS Bandgap Reference Circuit Using a Dynamic Base Leakage Compensation Technique

著者 (6件)： CAO Ying (KU Leuven, Heverlee, BEL) ,  CAO Ying (SCK-CEN, Mol, BEL) ,  DE COCK Wouter (SCK-CEN, Mol, BEL) ,  STEYAERT Michiel (KU Leuven, Heverlee, BEL) ,  LEROUX Paul (KU Leuven, Heverlee, BEL) ,  LEROUX Paul (Katholieke Hogeschool Kempen, Geel, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 60  号： 4,Pt.1  ページ： 2819-2824  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基準電圧発生器は多くのアナログ/混合信号系における重要な構成ブロックである。CMOSバンドギャップ基準技術は電圧を安定化するための最も一般的方法である。本研究では,1V以下で動作する耐放射線バンドギャップ基準を,標準の0.13μmCMOS技術用に設計し,全電離線量(TID)の影響を解析した。MGy水準の耐放射線性を実現するために,バンドギャップコア中の放射線誘起漏れ電流を排除する動的ベース漏れ補償技術を提案した。27kGy/hのγ線照射実験中の基準出力電圧の変動は3%以下であった。

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  放射線量 ,  *耐放射線性 ,  バンドギャップ ,  *CMOS構造 ,  *電圧 ,  *基準信号 ,  電圧発生 ,  電圧変動 ,  回路設計 ,  電流補償 ,  温度依存性 ,  電気回路
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  *バンドギャップ基準電圧 ,  基準電圧 ,  出力電圧 ,  全電離線量 ,  耐放射線性設計 ,  基準回路

分類 (1件)： 電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電流補償 ,  全電離 ,  線量 ,  耐性 ,  CMOS ,  バンドギャップ ,  基準回路