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J-GLOBAL ID：201302216153525460   整理番号：13A1882909

回路シミュレータを用いた誤点弧メカニズムの一検討

An Investigation of False Turn-on Mechanism with Circuit Simulator

著者 (9件)： 西垣彰紘 (島根大) ,  石原將貴 (島根大) ,  HOU Huyi (島根大) ,  七森公碩 (島根大) ,  吉田尭 (島根大) ,  金澤康樹 (島根大) ,  梅上大勝 (島根大) ,  服部文哉 (島根大) ,  山本真義 (島根大)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-13  号： 62-81  ページ： 39-44  発行年： 2013年10月21日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaN FETやSiC MOS FETなどの次世代パワーデバイスは,電力変換回路で発生するノイズに弱く,誤動作による誤点弧・誤消弧が懸念されている。本研究では,パワー半導体デバイス端子部分の寄生インダクタンスによるゲートの電位変動を中心とする調査を行ない,誤点弧の発生メカニズムとして,パワーデバイスのボディダイオードによるリカバリー電流が関係していることを実験およびシミュレーションに基く波形解析により明らかにした。このゲート電位変動の抑制法を3つ提案し,シミュレーションの結果,ゲート電位の変動が抑えられることが立証された。

シソーラス用語： *点弧制御 ,  炭化ケイ素 ,  窒化ガリウム ,  MOSFET ,  FET【トランジスタ】 ,  電気回路 ,  誤動作 ,  *消弧 ,  電力トランジスタ ,  半導体素子 ,  *パワーエレクトロニクス ,  *ゲート【半導体】 ,  電圧変動 ,  *電流 ,  シミュレーション ,  寄生インダクタンス ,  電源回路
準シソーラス用語： *リカバリー電流 ,  回路シミュレータ ,  電力変換回路

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (3件)：

• 松本康・近藤靖・木村浩:「SiCデバイス搭載のパワーエレクトロニクス機器」,富士時報,第85巻第3号,pp.255~259(2012)
• 渡邊健太・伊東淳一:「高周波パワーデバイスを用いた電力変換回路のゲート電位変動に関する基礎検討」,産業応用部門大会,No.1-153
• 渡邊健太・伊東淳一:「高周波パワーデバイスを用いた電力変換回路のゲート電位変動に関する解析と抑制法」,SPC-11-156(2011)

タイトルに関連する用語 (3件)： 回路シミュレータ ,  弧 ,  メカニズム