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J-GLOBAL ID：201302216962381496   整理番号：13A1107887

Ga1-xHoxN(x=0.0および0.05)希釈磁性半導体薄膜における室温強磁性

Room Temperature Ferromagnetism in Ga1-xHoxN (x=0.0 and 0.05) Diluted Magnetic Semiconductor Thin Films

著者 (5件)： Rai Ghulam Murtaza (Dep. of Physics, Univ. of the Punjab, Pakistan, Lahore) ,  Iqbal Muhammad Azhar (Dep. of Physics, Univ. of the Punjab, Pakistan, Lahore) ,  Xu Yongbing (Spintronics Lab., Dep. of Electronics, The Univ. of York, UK, York) ,  Will Iain Gordon (Spintronics Lab., Dep. of Electronics, The Univ. of York, UK, York) ,  Mahmood Qasim (Dep. of Physics, Univ. of the Punjab, Pakistan, Lahore)
資料名： Chinese Journal of Chemical Physics  (Chinese Journal of Chemical Physics)
巻： 25  号： 3  ページ： 313-317  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2010A  ISSN： 1674-0068  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホルミウム添加窒化ガリウム希釈磁性半導体薄膜を,熱蒸着技術,およびその後のアンモニアアニーリングによって調製した。X線回折測定によって,すべてのピークが,純粋な六方晶ウルツ鉱型構造に属することを,明らかにする。走査電子顕微鏡とエネルギ分散分光法によって,表面モルフォロジおよび組成分析を,それぞれ実施した。振動試料磁力計を室温で用いて,Ga_(1-x)Ho_xN(x=0.0,0.05)膜の,室温強磁性の特性を分析した。磁気測定によると,ドープしない膜(すなわちGaN)は反磁性体反応を示したが,Ho-ドープ(Ga_(0.95)Ho_(0.05)N)膜は強磁性体反応を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *磁性半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *強磁性 ,  真空蒸着 ,  アンモニア ,  六方晶系 ,  磁性体 ,  強磁性体
準シソーラス用語： *希釈磁性半導体 ,  *室温強磁性 ,  熱蒸着 ,  六方晶 ,  反磁性体

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 希釈磁性半導体 ,  薄膜 ,  室温強磁性