文献

J-GLOBAL ID：201302217804848588   整理番号：13A0722020

溝型MOSFETの信頼性に対する溝エッチング後損傷除去処理の効果

Effect of damage removal treatment after trench etching on the reliability of trench MOSFET

著者 (8件)： MIYAHARA S. (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  WATANABE H. (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  YAMAMOTO T. (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  TSURUTA K. (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  ONDA S. (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  SOEJIMA N. (Toyota Central R&D Labs. Inc., Aichi, JPN) ,  WATANABE Y. (Toyota Central R&D Labs. Inc., Aichi, JPN) ,  MORIMOTO J. (Toyota Motor Corp., Aichi, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 740/742  ページ： 789-792  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溝型 ,  MOSFET ,  信頼 ,  エッチング ,  損傷 ,  除去処理