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J-GLOBAL ID：201302218929550889   整理番号：13A0814725

EUVマスクブランク欠陥回避ソリューション評価

EUV mask blank defect avoidance solutions assessment

著者 (3件)： ELAYAT Ahmad (Mentor Graphics Corp., OR) ,  THWAITE Peter (Mentor Graphics Corp., MA) ,  SCHULZE Steffen (Mentor Graphics Corp., OR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8522  ページ： 85221W.1-85221W.13  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無欠陥基板は入手不可能であり,製造段階でも修正不能欠陥が依然存在する。現在可能な検査装置で測定して,チャンピオン基板には50程度の欠陥が存在する。レチクルフロアプラニング,全レチクルフィールドシフト(パターンシフト),レイアウト分類に加えたパターンシフト(スマートシフト),マスク描画前データにおける欠陥リペアのような欠陥回避のEDAベース手法を調べた。この調査に引き続いて,各種方法の複雑さとマスク製造プロセスに与える影響を評価した。しかる後,様々なマスクブランク上のEUV欠陥回避のためにCalibreプラットフォーム上で開発したソフトウエアソリューションを使って実験結果を調べた。複雑さの評価と初期実験から,EDAベースのソリューションは,1)パターンシフト,2)スマートパターンシフト,3)スマートパターンシフト+MDPでのバッチリペア,の順で行うべきである。

シソーラス用語： マスク ,  リソグラフィー ,  極端紫外線 ,  半導体プロセス ,  修理 ,  レチクル ,  *回路設計 ,  加工欠陥
準シソーラス用語： EDA ,  *EUVマスク ,  マスクブランク ,  マスク欠陥 ,  *欠陥修復

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： EUVマスク ,  ブランク ,  欠陥 ,  回避 ,  ソリューション ,  評価