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J-GLOBAL ID：201302219201197984   整理番号：13A1227823

鉄基板へのシリコンチップのフラックス無しのすずボンディング

Fluxless tin bonding of silicon chips to iron substrates

著者 (2件)： HSU Shou-Jen (Univ. of California, Electrical Engineering and Computer Sci., Materials and Manufacturing Technol., 92697-2660 ...) ,  LEE Chin C. (Univ. of California, Electrical Engineering and Computer Sci., Materials and Manufacturing Technol., 92697-2660 ...)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 24  号： 8  ページ： 2890-2896  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉄(Fe)基板へのシリコン(Si)チップボンディングのフラックス無しプロセスを開発することに成功した。鉄基板をNiでめっきして,その後ですず(Sn)めっきした。Siチップに,高真空中でEビーム蒸着を用いて薄いクロム(Cr)と金(Au)を堆積した。そのSiチップをFe基板の上に置き,240°Cでボンディングした。結果の接合部は非常に一様で,走査型電子顕微鏡法で調べたところボイドはほとんど無かった。はんだ付けプロセス中のFe/NiとSnの間,およびSi/Cr/AuとSnの間の反応を調査した。Si/Cr-Sn界面は金属間化合物(IMC)が無い,すなわちIMCフリーであった。三次元Ni₃Sn₄微細構造を試料からのSnエッチング除去により明らかにした。Fe/Ni-Sn界面は竿状または多角形のNi₃Sn₄微細構造を形成している。この新しいフラックス無しのボンディングプロセスは,基板,ベースプレート,熱ブロック,およびチップ取り付け可能ケーシングのような電子パッケージング用途に鉄の使用を拡げることにおいて貴重なものになると思われる。Copyright 2013 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 鉄 ,  基板 ,  *ケイ素 ,  *半導体チップ ,  *スズ ,  *ボンディング【IC】 ,  ニッケルめっき ,  *スズめっき ,  *電子ビーム蒸着 ,  金 ,  クロム ,  *接合部 ,  空孔欠陥 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  リフロソルダリング ,  不均一系反応 ,  金属間化合物 ,  三次元 ,  微細構造 ,  熱膨張係数 ,  エネルギー分散蛍光X線分析 ,  電気めっき
準シソーラス用語： フラックス無しボンディング ,  断面SEM

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 鉄基 ,  シリコンチップ ,  フラックス ,  すず ,  ボンディング