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J-GLOBAL ID：201302219680501102   整理番号：13A0026534

原子層堆積Al₂O₃を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減

Reduction in Threshold Voltage Shift of Insulated-gate GaN-HEMT Using ALD-Al₂O₃ Films

著者 (8件)： 尾崎史朗 (富士通研) ,  多木俊裕 (富士通研) ,  金村雅仁 (富士通研) ,  今田忠紘 (富士通研) ,  中村哲一 (富士通研) ,  岡本直哉 (富士通研) ,  宮島豊生 (富士通研) ,  吉川俊英 (富士通研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 327(ED2012 65-92)  ページ： 41-44  発行年： 2012年11月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高効率スイッチング素子等,電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)の閾値(V_th)シフトについて報告する。今回,V_thシフトの起源となる電子トラップの詳細を明らかにするとともに,それらの低減技術を開発した。まず,原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)法で製膜したAl₂O₃ゲート絶縁膜中の電子トラップとして,酸素原料に起因した残留不純物(Al(OH)_x)をX線光電子分光(XPS:X-ray Photoelectron Spectroscopy)法にて同定し,それらを低減するためのアニール技術(PDA:Post Deposition Annealing)を確立した。更に,GaN/Al₂O₃界面におけるGaN酸化への酸素原料の影響を解明し,酸素ラジカル等の活性酸素を含まないH₂O蒸気の採用により,界面の酸化層に起因した電子トラップを低減し,絶縁ゲート型GaN-HEMTのV_thシフト低減に成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *酸化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *絶縁膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  誘電率 ,  バンドギャップ ,  絶縁耐力 ,  *電圧変動 ,  *閾値 ,  電子 ,  捕獲 ,  X線光電子分光法 ,  電子トラップ
準シソーラス用語： 原子層堆積 ,  閾値電圧シフト

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子層堆積 ,  Al2O3 ,  絶縁 ,  ゲート ,  GaN ,  HEMT ,  閾値 ,  シフト