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J-GLOBAL ID：201302220541182432   整理番号：13A1274846

多孔性アルミナを鋳型として成長させたポリ3-ヘキシルチオフェン/フッ化テトラシアノキノジメタンナノワイアの導電性強化

Enhanced Electrical Conductivity in Poly(3-hexylthiophene)/Fluorinated Tetracyanoquinodimethane Nanowires Grown with a Porous Alumina Template

著者 (7件)： HU Jianchen (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  HU Jianchen (Kyushu Univ., Tsukuba, JPN) ,  CLARK Kendal W. (Oak Ridge National Lab., Tennessee, USA) ,  HAYAKAWA Ryoma (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  LI An-Ping (Oak Ridge National Lab., Tennessee, USA) ,  WAKAYAMA Yutaka (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  WAKAYAMA Yutaka (Kyushu Univ., Tsukuba, JPN)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 29  号： 24  ページ： 7266-7270  発行年： 2013年06月18日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ3-ヘキシルチオフェン(P3HT)と2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(F4-TCNQ)の混合(F4-TCNQ分率,C_F4-TCNQ)クロロベンゼン溶液をAAOテンプレート上に分散し,減圧下での250°C6時間熱処理により,P3HT/F4-TCNQ複合溶融体を,毛細管現象により,AAOテンプレートに含浸させた。冷却後NaOH溶液処理によりAAOを溶解してP3HT/F4-TCNQナノワイアを得た。単一ナノワイアの電気伝導率を4プローブSTMを用いて測定し,C_F4-TCNQを10%から0.1%まで変化させることにより電気抵抗率が0.1から10Ωcmの範囲で制御できること,及び,その値が同一組成のP3HT/F4-TCNQ薄膜に比べ2-4桁低いことを示した。

シソーラス用語： *多孔性 ,  *アルミナ ,  熱処理 ,  融解高分子 ,  混合 ,  *ナノワイヤ ,  電気伝導率 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  電気抵抗率 ,  導電性高分子 ,  複合体 ,  ポリヘキシルチオフェン ,  化学合成
準シソーラス用語： *AAOテンプレート ,  P3HT【重合体】 ,  混合融解高分子 ,  *導電性高分子複合ナノワイア ,  鋳型合成

分類 (4件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  応用物理化学的操作・装置  (XE03000E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： 2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン

タイトルに関連する用語 (7件)： 多孔性 ,  アルミナ ,  鋳型 ,  成長 ,  3-ヘキシルチオフェン ,  導電性 ,  強化